目前市场上电容投切装置所使用的元器件可分为三大类：接触器、复合开关、可控硅投切开关，晶闸管投切开关可以实现过零投切，补偿准确，但是价格高，成本高，发热量大，质量稍不好就容易损坏。那可控硅投切开关跟复合开关及接触器相比还有哪些优点存在呢

一、可控硅投切开关

一般用于TSC技术的低压动态补偿用的可控硅都采用大功率晶闸管反并联封装，其额定电流可达数百安培以上，反向耐压可达1800v以上。由于其具有电力电子器件的特性，因此在通过检测电压过零点时给可控硅触发信号实现无触点、无涌流投切，并且响应时间快，在20ms之内，即半个波形周期内就能实现触发导通。


由于可控硅属半导体器件，通态电流比较大时，会有一定的发热。但现在配电房环境越来越好，很多都配备了空调，且现在电容器大部分都加了串联电抗器，温升问题已经被统一对待处理。特别适用于需要频繁投切的重要配电场合。而且现在很多地区在大力推广混合补偿，更给了可控硅投切开关新的用武之地。

二、复合开关

复合开关又叫机电一体化开关，是由交流接触器和可控硅相并联封装而成。其导通利用可控硅实现无涌流投切，投切完成后再将交流接触器主回路闭合，并退出可控硅。这一优点是运行时发热相对于可控硅稍小一些。


复合开关因交流接触器与可控硅的相互制约导致无法实现较大的通态电流，反向耐压只能达到1600v并且投切过程复杂，可控硅开断频繁，容易被击穿，造成故障率较高，一般用于不需要频繁投切的非重要配电场合。

三、三者应用的差异比较
交流接触器便宜，方便，技术成熟；但是不能实现过流投且，容易造成涌流。晶闸管投且开关可以实现过零投切，补偿准确；但是成本高，技术不太成熟，发热量大，容易损坏。复合开关同时具有上述两种设备优点，使用晶闸管在过零时投且，使用接触器载流。发热小，投且无涌流。但是技术也不完善，容易损坏。